Samsung ha anunciado que a partir de hoy ha comenzado la producción en masa de estas memorias para dispositivos móviles de 1 TB de almacenamiento, estas memorias no están compuestas de otras pequeñas memorias, se trata de un solo dispositivo de almacenamiento.
Con el mismo tamaño que la memoria de 512 GB a logrado crear esta nueva memoria que duplica a la anterior. ¿Cómo lo ha logrado? Samsung ha logrado combinar 16 capas de la memoria flash V-NAND más avanzada de 512 GB, formadas por 64 capas en total. Todo esto es una gran hazaña ya que se a logrado realizar en un tamaño de 11,5 mm x 13,0 mm.
La única pega que tienen estas memorias es que aún están basadas en el formato UFS 2.1 en vez de UFS 3.0. Samsug explica que estas memorias llegaran a alcanzar una velocidad de lectura superior a un SSD SATA.
Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Ventas y Mercadeo de Memoria en Samsung Electronics declaró:
«Se espera que el eUFS de 1TB desempeñe un papel fundamental para brindar una experiencia de usuario más portátil a la próxima generación de dispositivos móviles» además también aseguró «Samsung se compromete a garantizar la cadena de suministro más confiable y las cantidades de producción adecuadas para respaldar los lanzamientos oportunos de los teléfonos inteligentes estrella para acelerar el crecimiento del mercado móvil global».
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